发布日期：2024-07-23 22:24 点击次数：180
器件吸收MPS结构野心，额定电流5 A~ 40 A椿最新番号，低正向压降、低电容电荷和低反向走电流低
好意思国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年6月28日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）秘书，推出16款新式第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件吸收羼杂PIN 肖特基（MPS）结构野心，具有高浪涌电流保护技艺，低正向压降、低电容电荷和低反向走电流低，有助于普及开关电源野心能效和可靠性。
日前发布的新一代SiC二极管包括5 A至40 A器件，吸收TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封装和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）名义贴装封装。由于吸收MPS结构——行使激光退火后面减薄本领——二极管电容电荷低至28 nC，正向压降减小为1.35 V。此外，器件25 °C下典型反向走电流仅为2.5 µA，因此镌汰了导通损耗，确保系统轻载和空载时期的高能效。与超快复原二极管不同，小泽圆第三代器件确实莫得复原拖尾椿最新番号，从而简略进一步普及效果。
碳化硅二极管典型应用包括FBPS和LLC调养器AC/DC功率因数改革（PFC）和 DC/DC超高频输出整流，适用于光伏逆变器、储能系统、工业启动器和器具、数据中心等。这些严苛的应用环境中，器件职责温度可达+175°C，正向额定浪涌电流保护技艺高达260 A。此外，D2PAK 2L封装二极管吸收高CTI ³ 600的塑封料，确保电压升高时优异的绝缘性能。
器件具有高可靠性，相宜RoHS次第，无卤素，通过2000小时高温反偏（HTRB）测试和2000次热轮回温度轮回测试。
器件规格表：
新式SiC二极管现可提供样品并已终了量产椿最新番号，供货周期为13周。
电流器件肖特基SiC二极管发布于：北京市声明：该文不雅点仅代表作家本东说念主，搜狐号系信息发布平台，搜狐仅提供信息存储空间管事。
